正文 首先,作者設(shè)計(jì)了一種邊緣融合卟啉帶和峽灣型石墨烯納米帶的混合體,即卟啉融合石墨烯納米帶(PGNR),如圖1所示。這一設(shè)計(jì)結(jié)合了邊緣融合卟啉帶的極端電子共軛化和峽灣型石墨烯納米帶的柔性側(cè)鏈,以提高其溶解度和溶液加工性。下載化學(xué)加APP到你手機(jī),收獲更多商業(yè)合作機(jī)會(huì)。 圖片來源:Nat. Chem. 圖2展示了合成模型化合物的過程,從卟啉單體出發(fā)經(jīng)過Yamamoto聚合和環(huán)化脫氫反應(yīng)得到目標(biāo)化合物。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,通過這種方法合成的PGNR具有較窄的光學(xué)帶隙和高局部電荷遷移率,顯示出良好的電子性能。此外,在單分子場(chǎng)效應(yīng)晶體管中,這些PGNR已顯示出較高的遷移率,為單分子電子器件的應(yīng)用提供了潛在可能性。這一研究為合成具有特定功能性的石墨烯納米結(jié)構(gòu)打開了新的途徑,推動(dòng)了納米電子器件的發(fā)展。 圖片來源:Nat. Chem. 為了深入了解融合卟啉的石墨烯納米帶(PGNR)的光學(xué)特性,作者研究了模型化合物f-P1Ng1a、f-P2Ng1a和f-P3Ng2a在氯仿中的溶液光譜,并觀察到它們呈現(xiàn)出從粉紅色到紫色的顏色,并且隨著分子尺寸的增加,吸收峰向更長波長處移動(dòng)。此外,通過圓二色譜和時(shí)間相關(guān)密度泛函理論(TD-DFT)模擬,作者確定了f-P2Ng1a的存在兩個(gè)不互相轉(zhuǎn)化的對(duì)映體,而f-P3Ng2a可能存在多種立體異構(gòu)體。 圖片來源:Nat. Chem. 接著,作者合成了PGNR,并通過Yamamoto聚合反應(yīng)成功得到了高分子量的聚合物PPb。最終,他們通過環(huán)化脫氫反應(yīng)將PPb轉(zhuǎn)化為PGNRb,并發(fā)現(xiàn)PGNRb在有機(jī)溶劑中可溶,具有類似于模型化合物f-P3Ng2a的光譜特性,其光學(xué)能隙為1.0 eV。這些結(jié)果為深入探究PGNR的光學(xué)特性奠定了基礎(chǔ)。 圖4. 卟啉-石墨烯納米帶PGNRs的合成和結(jié)構(gòu)表征。 為了評(píng)估PGNRb在電子器件中的潛力,作者使用超快、無接觸的光學(xué)泵浦-太赫茲探測(cè)(OPTP)光譜對(duì)其在溶液中的電荷傳輸行為進(jìn)行了分析。通過使用光學(xué)脈沖和太赫茲脈沖,作者成功地在PGNRb中引入了電荷載流子,然后通過測(cè)量太赫茲光譜來研究載流子的傳輸性質(zhì)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,PGNRb具有負(fù)虛電導(dǎo)和正實(shí)電導(dǎo),其振幅隨頻率增加而增加,符合Drude-Smith模型。通過對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,得到了PGNRb的參數(shù),包括載流子的散射時(shí)間和優(yōu)先反向散射效應(yīng)的程度。進(jìn)一步,通過密度泛函理論(DFT)計(jì)算,作者分析了GNR、PGNR和卟啉帶的結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)融合卟啉的石墨烯納米帶具有更大的帶色散,從而導(dǎo)致更小的有效質(zhì)量和更高的載流子遷移率。這些結(jié)果表明,PGNRb在電子器件中具有潛在的應(yīng)用前景,其具有優(yōu)異的電荷傳輸性能,可望應(yīng)用于單分子電子器件等領(lǐng)域。 圖5. 太赫茲光譜和能帶結(jié)構(gòu)的超快光電導(dǎo)。 為了評(píng)估PGNRb在電子器件中的潛力,作者通過制備單納米帶器件進(jìn)行了電荷傳輸行為研究。這些器件利用PGNRb在兩個(gè)石墨烯電極之間形成的納米間隙,實(shí)現(xiàn)了源漏(VSD)和柵(VG)電壓的施加,并同時(shí)測(cè)量源漏電流ISD。在室溫下,這些器件表現(xiàn)出場(chǎng)效應(yīng)晶體管的行為,具有可觀的帶隙和輕微的p-摻雜。部分器件展現(xiàn)了兩極性行為,能夠接近n-和p-ON狀態(tài)。在低溫下,當(dāng)電子無法克服電極-PGNR屏障時(shí),電導(dǎo)只能通過單電子過程進(jìn)行。通過在毫開爾文溫度下繪制GSD與VG和VSD的圖,作者觀察到了受抑制的電導(dǎo)VG區(qū)域,對(duì)應(yīng)于帶隙。此外,他們還觀察到了周期性的庫侖鉆石,其大小相似,并且由高GSD的脊分隔開,這是單導(dǎo)通道的典型特征。振動(dòng)能級(jí)提供了PGNR的指紋,并與報(bào)道的拉曼和紅外模式相關(guān)聯(lián)。此外,他們還觀察到了大量的負(fù)微分電導(dǎo)(NDC)區(qū)域,這驗(yàn)證了對(duì)摻雜的GNR的預(yù)測(cè),即在增加偏壓時(shí)電流會(huì)突然下降,產(chǎn)生NDC峰。這些結(jié)果為了解PGNRb在電子器件中的應(yīng)用潛力提供了重要線索。 圖6. 單分子電荷傳輸。 總結(jié)
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