(圖片來源:Adv. Mater.)
正文 在這項工作中,作者首先詳細地展示了合成的紫羅堿衍生物及其相應的反離子,這些是構建嵌段分子VSi7:X2的基礎。通過這些結構,作者能夠探索反離子對相分離結構和電子特性的影響。圖中的化學結構揭示了嵌段分子的設計多樣性,以及它們在不同反離子作用下可能形成的有序形態。這些結構的物理外觀,如顏色和質地的變化,為理解材料的微觀結構與宏觀性能之間的關系提供了直觀的證據。結論表明,通過選擇合適的反離子,可以有效地調控材料的形態和導電性,這對于開發具有特定功能的有機電子材料具有重要意義。下載化學加APP到你手機,收獲更多商業合作機會。 圖片來源:Adv. Mater. 接下來,作者通過一系列實驗技術揭示了VSi7:X2嵌段分子在不同反離子影響下的形態和導電性變化。首先,作者通過X-射線光電子能譜(XPS)圖譜展示了VSi7:X2在反離子交換過程中Br3p峰的消失,這表明了反離子成功地被替換。接著,通過中角和小角X-射線散射(MAXS/WAXS)技術,研究者們觀察到了VSi7:X2嵌段分子在層狀(B)和柱狀(C)形態下的散射剖面,這些剖面揭示了材料的微觀結構。此外,作者通過電流-電壓(I/V)曲線的測量,分析了不同反離子對VSi7:X2導電性的影響,發現2D納米結構的VSi7:Br2和VSi7:(Ph4B)2相較于柱狀的VSi7:(BF4)2和VSi7:(ClO4)2表現出更高的導電性。這些結果表明,通過改變反離子,可以有效地調控材料的電子特性,這對于開發具有特定功能的有機電子材料具有重要意義。 圖片來源:Adv. Mater. 作者通過固態紫外-可見光譜(UV-Vis)測量,詳細記錄了VSi7:(Ph4B)2在不同條件下的光學特性變化。首先,作者展示了在持續的405納米波長光照射下,VSi7:(Ph4B)2的UV-Vis光譜隨時間的變化,這揭示了材料在光刺激下發生光誘導電子轉移的過程(圖3A)。在停止光照射后,VSi7:(Ph4B)2的光譜隨時間的熱衰減過程,這反映了自由基陽離子的穩定性(圖3B)。此外,作者通過監測607納米處的吸收峰隨時間的變化,進一步觀察了自由基陽離子的衰減動力學,其中紫色部分代表了90分鐘的照射期(圖3C)。VSi7:(Ph4B)2在多次光照射和衰減周期中的UV-Vis光譜變化表明,通過光照射可以實現VSi7:(Ph4B)2的可逆還原和氧化,從而調控其導電性,這一過程類似于生物神經系統中的長期增強現象(圖3D)。 圖3. 在石英片之間(厚度= 10微米)的VSi7:(Ph4B)2的固態紫外-可見光譜測量 作者通過一系列電流-電壓(I/V)曲線的測量,展示了VSi7:(Ph4B)2在不同處理條件下的導電性變化。首先,為了反應材料在光照射和氧化還原過程中導電性的變化,作者記錄了VSi7:(Ph4B)2在未照射、照射30秒后以及在富氧環境中24小時后的I/V曲線(圖4A)。不僅如此,作者還追蹤了VSi7:(Ph4B)2在經過15秒兩次照射后,以及隨后一周自由基衰減期間的導電性,揭示了材料在光刺激下導電性的可逆變化(圖4B)。值得一提的是,通過15秒脈沖照射后的長期增強效應,展示了VSi7:(Ph4B)2在光刺激下的導電性增強,這種增強效應在30秒的延遲時間后再次照射時仍然存在(圖4C)。此外,VSi7:(Ph4B)2在多次照射周期中,這些周期包括15秒的照射和隨后一周的自由基衰減,結果表明經過多次電壓掃描后,二價陽離子狀態的導電性顯著增加(圖4D)。 圖片來源:Adv. Mater. 總結
荷蘭埃因霍溫理工大學F. Eisenreich和G. Vantomme團隊展示了一種模塊化且可擴展的方法,用于合成一系列基于紫羅堿的嵌段分子,這些分子能夠自發地相分離成有序結構。通過簡單的陰離子交換,可以對這些結構的形態和導電性進行后合成修飾。特別是,VSi7:(Ph4B)2在光照下可以原位還原,展現出可通過光照和氧氣控制的可調電子特性。此外,通過重復的電壓掃描,VSi7:(Ph4B)2的導電性得到了改善,這與材料在電場作用下2D形態的定向排列有關。這些發現不僅為有機納米材料的電子性質調控提供了新的策略,而且突出了這些系統在智能傳感器和神經形態器件等先進(光電)電子材料中的潛力。
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