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Chem 湖南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院曾澤兵教授課題組在納米石墨分子與拓?fù)鋺B(tài)性質(zhì)的交叉領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

來源:湖南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院      2023-02-28
導(dǎo)讀:近日,湖南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院曾澤兵教授課題組在納米石墨分子與拓?fù)鋺B(tài)性質(zhì)的交叉領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,首次發(fā)現(xiàn)并揭示了納米石墨分子中拓?fù)浣缑鎽B(tài)的自旋極化及其自由基性質(zhì),相關(guān)研究成果發(fā)表在Cell Press頂刊Chem上。

近日,湖南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院曾澤兵教授課題組在納米石墨分子與拓?fù)鋺B(tài)性質(zhì)的交叉領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,首次發(fā)現(xiàn)并揭示了納米石墨分子中拓?fù)浣缑鎽B(tài)的自旋極化及其自由基性質(zhì),相關(guān)研究成果發(fā)表在Cell Press頂刊Chem上。

在納米石墨烯分子的眾多性質(zhì)中,磁性一直以來都是最為令人神往也是最晦澀難懂的。這類π磁化的功能納米分子具有獨(dú)特的開殼電子結(jié)構(gòu),在自旋器件、量子技術(shù)和納米電子器件等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力。區(qū)別于自旋極化端態(tài)(spin-polarized end state)的熱點(diǎn)研究,拓?fù)浞诸惱碚撟罱A(yù)測,若椅式邊緣石墨烯納米帶(ANGs)由拓?fù)浞瞧接购推接沟钠纬砗希赡艹霈F(xiàn)特殊的對稱性保護(hù)拓?fù)湎唷丛诮唤绲漠愘|(zhì)結(jié)區(qū)產(chǎn)生電子自旋極化的界面態(tài)(interface state)。這種自旋軌道去簡并的現(xiàn)象是由電子強(qiáng)庫倫斥力所驅(qū)動的。然而,以上拓?fù)鋺B(tài)的新理論尚無確鑿案例驗(yàn)證。

階梯形氮雜納米石墨分子的設(shè)計(jì)合成。

曾澤兵教授課題組基于原子級精確的濕法合成技術(shù),將兩個苝分子和1,6-二氮雜蒽片段稠合,使交界處形成新的p-n異質(zhì)結(jié)(Figure 1)。作者在課題組前期發(fā)展的新苝核基礎(chǔ)上,經(jīng)乙炔基修飾、雙重povarov環(huán)化反應(yīng)和高溫堿催化關(guān)環(huán),成功得到了階梯形的氮雜納米石墨烯分子ANG-a~b。以此類分子為模型,首次發(fā)現(xiàn)并揭示了納米石墨分子中拓?fù)浣缑鎽B(tài)的自旋極化及其自由基性質(zhì)。

兩個納米石墨分子擁有相同的共軛骨架,而前者在界面區(qū)修飾有取代基(甲氧基),后者為無位阻的氫原子。經(jīng)紫外-可見光-近紅外吸收光譜、電子順磁共振(ESR)、和單晶衍射等系列表征及理論計(jì)算,證明ANG-a接近常見的閉殼電子結(jié)構(gòu),而ANG-b則是單線態(tài)雙自由基的基態(tài)電子結(jié)構(gòu),其中,雙自由基貢獻(xiàn)為y0= 33.9%、四自由基貢獻(xiàn)為y1= 5.7%。通過對比兩者差異化的電子結(jié)構(gòu)與光電磁學(xué)性質(zhì),揭開了共軛體系的拓?fù)浣缑鎽B(tài)特征及其電子效應(yīng):1)界面峽谷邊緣(cove)的精確氮摻雜,使界面區(qū)呈現(xiàn)出顯著的拓?fù)浞瞧接剐裕p片段則是與之相反的拓?fù)淦接瓜啵@種拓?fù)淦接?非平庸-平庸的交替共軛誘導(dǎo)異質(zhì)結(jié)區(qū)的電子自旋極化,從而產(chǎn)生異常的自由基性質(zhì);2)未成對自旋電子主要分布于拓?fù)浣缑鎱^(qū),極少離域至分子兩端,因此無需末端大位阻基團(tuán)保護(hù),納米分子仍具有相當(dāng)?shù)目諝馀c熱穩(wěn)定性,甚至對酸和堿的耐受性,這在已報道的共軛自由基分子材料中是極罕見的;3)拓?fù)浣缑鎽B(tài)及其自由基性質(zhì)與分子的取代基效應(yīng)、能隙和離域的界面芳香性等高度關(guān)聯(lián),這也是界面修飾的ANG-a不具有拓?fù)浣缑鎽B(tài)的主要原因,盡管通常認(rèn)為這種位阻修飾有利于自由基形成。有意思的是,失電子的納米分子(ANG-b)2+仍保持界面自旋極化及雙自由基性質(zhì)(y0= 13.8%)。

ANG-a~b的單晶結(jié)構(gòu)(a)、ACID圖譜(b)、吸收光譜(c)和電化學(xué)性質(zhì)(d~e)及其ANGs能級示意圖和超晶格的界面態(tài)電荷密度(f);ANG-b(ANG-b)2+的變溫ESR譜圖和自旋密度分布(g~h)

綜上,以上工作不僅展示了一種階梯狀的、原子級精確氮雜的納米石墨烯分子模型,且拓?fù)浣缑娴淖孕龢O化概念為構(gòu)筑納米共軛分子提供了一種全新的設(shè)計(jì)策略,有望創(chuàng)造更多穩(wěn)定的共軛自由基分子和光電磁集成的有機(jī)共軛材料。

文章第一作者是湖南大學(xué)博士研究生李祖豪,通訊作者為湖南大學(xué)曾澤兵教授。


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